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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP160N4LF6
STP160N4LF6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP160N4LF6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP160N4LF6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP160N4LF6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP160N4LF6.pdf
État RoHS
En stock: 4560

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP160N4LF6
STMicroelectronics - STP160N4LF6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP160N4LF6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 60A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8130 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 181 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base STP160  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP160N4LF6

Attributs du produit STP160N4LF6 STP15NM60N STP15N80K5 STP15N65M5
Modèle de produit STP160N4LF6 STP15NM60N STP15N80K5 STP15N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numéro de produit de base STP160 STP15N STP15 STP15
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 60A, 10V 299mOhm @ 7A, 10V 375mOhm @ 7A, 10V 340mOhm @ 5.5A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Séries DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™ II SuperMESH5™ MDmesh™ V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc) 11A (Tc)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8130 pF @ 20 V 1250 pF @ 50 V 1100 pF @ 100 V 810 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 125W (Tc) 190W (Tc) 125W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 181 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±30V ±25V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 600 V 800 V 650 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique STP160N4LF6 PDF

Téléchargez STP160N4LF6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP160N4LF6 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 31/May/2018.pdf
Feuilles de données
STP160N4LF6.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP160N4LF6

STMicroelectronics
32D-STP160N4LF6

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