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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP15N80K5
STP15N80K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP15N80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP15N80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP15N80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 14A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx15N80K5.pdf
État RoHS
En stock: 16965

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP15N80K5
STMicroelectronics - STP15N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP15N80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base STP15  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP15N80K5

Attributs du produit STP15N80K5 STP160N75F3 STP15NM65N STP150N3LLH6
Modèle de produit STP15N80K5 STP160N75F3 STP15NM65N STP150N3LLH6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 7A, 10V 4mOhm @ 60A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 3.3mOhm @ 40A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 800 V 75 V 650 V 30 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 33.3 nC @ 10 V 40 nC @ 4.5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±20V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries SuperMESH5™ STripFET™ MDmesh™ II DeepGATE™, STripFET™ VI
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V 6750 pF @ 25 V 983 pF @ 50 V 4040 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 120A (Tc) 12A (Tc) 80A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Numéro de produit de base STP15 STP160 STP15N STP150
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc) 330W (Tc) 125W (Tc) 110W (Tc)

Fiche technique STP15N80K5 PDF

Téléchargez STP15N80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP15N80K5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
STx15N80K5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP15N80K5

STMicroelectronics
32D-STP15N80K5

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