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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP15NM60ND
STP15NM60ND Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP15NM60ND - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP15NM60ND
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP15NM60ND
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP15NM60ND.pdf
État RoHS
En stock: 4490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP15NM60ND
STMicroelectronics - STP15NM60ND Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP15NM60ND

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base STP15N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP15NM60ND

Attributs du produit STP15NM60ND STP15N80K5 STP150NF55 STP160N3LL
Modèle de produit STP15NM60ND STP15N80K5 STP150NF55 STP160N3LL
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 190W (Tc) 300W (Tc) 136W (Tc)
Fonction FET - - - -
Séries FDmesh™ II SuperMESH5™ STripFET™ II STripFET™ H6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 7A, 10V 375mOhm @ 7A, 10V 6mOhm @ 60A, 10V 3.2mOhm @ 60A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 42 nC @ 4.5 V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 800 V 55 V 30 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±30V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 50 V 1100 pF @ 100 V 4400 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 14A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Numéro de produit de base STP15N STP15 STP150 STP160

Fiche technique STP15NM60ND PDF

Téléchargez STP15NM60ND PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP15NM60ND - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 17/Oct/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP15NM60ND

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32D-STP15NM60ND

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