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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL90N10F7
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL90N10F7 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL90N10F7
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL90N10F7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL90N10F7.pdf
État RoHS
En stock: 42494

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL90N10F7
STMicroelectronics - STL90N10F7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL90N10F7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6)  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 5W (Ta), 100W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3550 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  
Numéro de produit de base STL90  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL90N10F7

Attributs du produit STL90N10F7 STL90N3LLH6 STL8NH3LL STL9P2UH7
Modèle de produit STL90N10F7 STL90N3LLH6 STL8NH3LL STL9P2UH7
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 8A, 10V 4.5mOhm @ 12A, 10V 15mOhm @ 4A, 10V 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 100 V 30 V 30 V 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 90A (Tc) 8A (Tc) 9A (Tc)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (3.3x3.3)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 5W (Ta), 100W (Tc) 60W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) 2.9W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±18V ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3550 pF @ 50 V 1690 pF @ 25 V 965 pF @ 25 V 2390 pF @ 16 V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.5V, 4.5V
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ STripFET™
Numéro de produit de base STL90 STL90 STL8 STL9
Température de fonctionnement 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)

Fiche technique STL90N10F7 PDF

Téléchargez STL90N10F7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL90N10F7 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
STripFET 21/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
STL90N10F7.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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