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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL8N80K5
STL8N80K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL8N80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL8N80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL8N80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL8N80K5.pdf
État RoHS
En stock: 22426

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL8N80K5
STMicroelectronics - STL8N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL8N80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6)  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STL8N80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL8N80K5

Attributs du produit STL8N80K5 STL9N60M2 STL90N10F7 STL90N3LLH6
Modèle de produit STL8N80K5 STL9N60M2 STL90N10F7 STL90N3LLH6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V 860mOhm @ 2.4A, 10V 10.5mOhm @ 8A, 10V 4.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) 48W (Tc) 5W (Ta), 100W (Tc) 60W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc) 4.8A (Tc) 70A (Tc) 90A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V 100 V 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V 320 pF @ 100 V 3550 pF @ 50 V 1690 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base STL8N80 STL9 STL90 STL90
Séries SuperMESH5™ MDmesh™ II Plus DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VI
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 4.5V, 10V

Fiche technique STL8N80K5 PDF

Téléchargez STL8N80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL8N80K5 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Feuilles de données
STL8N80K5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL8N80K5

STMicroelectronics
32D-STL8N80K5

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