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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL8N65M5
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL8N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL8N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL8N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
14-PowerVQFN
Fiche technique
STL8N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 4680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL8N65M5
STMicroelectronics - STL8N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL8N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFLAT™ (5x5)  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 70W (Tc)  
Package / Boîte 14-PowerVQFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Ta), 7A (Tc)  
Numéro de produit de base STL8  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL8N65M5

Attributs du produit STL8N65M5 STL8P4LLF6 STL85N6F3 STL8N6LF6AG
Modèle de produit STL8N65M5 STL8P4LLF6 STL85N6F3 STL8N6LF6AG
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 70W (Tc) 2.9W (Ta) 80W (Tc) 4.8W (Ta), 55W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerFLAT™ (5x5) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Ta), 7A (Tc) 8A (Tj) 85A (Tc) 32A (Tc)
Numéro de produit de base STL8 STL8 STL85 STL8
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V 20.5mOhm @ 4A, 10V 5.7mOhm @ 8.5A, 10V 27mOhm @ 9.6A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 650 V 40 V 60 V 60 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 100 V 2850 pF @ 25 V 3400 pF @ 25 V 1340 pF @ 25 V
Package / Boîte 14-PowerVQFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Séries MDmesh™ V STripFET™ F6 STripFET™ Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V 60 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V

Fiche technique STL8N65M5 PDF

Téléchargez STL8N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL8N65M5 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf
Feuilles de données
STL8N65M5.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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