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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL8P2UH7
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL8P2UH7 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL8P2UH7
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL8P2UH7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
6-PowerWDFN
Fiche technique
STL8P2UH7.pdf
État RoHS
En stock: 5420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL8P2UH7
STMicroelectronics - STL8P2UH7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL8P2UH7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (2x2)  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Tc)  
Package / Boîte 6-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2390 pF @ 16 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  
Numéro de produit de base STL8  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL8P2UH7

Attributs du produit STL8P2UH7 STL8N6LF6AG STL8N80K5 STL8N10LF3
Modèle de produit STL8P2UH7 STL8N6LF6AG STL8N80K5 STL8N10LF3
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V
Package / Boîte 6-PowerWDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 SuperMESH5™ Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 100µA 3V @ 250µA
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Tc) 4.8W (Ta), 55W (Tc) 42W (Tc) 4.3W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 4A, 4.5V 27mOhm @ 9.6A, 10V 950mOhm @ 3A, 10V 35mOhm @ 4A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2390 pF @ 16 V 1340 pF @ 25 V 450 pF @ 100 V 970 pF @ 25 V
Numéro de produit de base STL8 STL8 STL8N80 STL8
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 60 V 800 V 100 V
Package composant fournisseur PowerFlat™ (2x2) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 32A (Tc) 4.5A (Tc) 20A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 10V 5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±8V ±20V ±30V ±20V

Fiche technique STL8P2UH7 PDF

Téléchargez STL8P2UH7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL8P2UH7 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STL8P2UH7.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 07/Feb/2018.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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