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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL110N4F7AG
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL110N4F7AG - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL110N4F7AG
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL110N4F7AG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 108A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL110N4F7AG.pdf
État RoHS
En stock: 62910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL110N4F7AG
STMicroelectronics - STL110N4F7AG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL110N4F7AG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6)  
Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 54A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 108A (Tc)  
Numéro de produit de base STL110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL110N4F7AG

Attributs du produit STL110N4F7AG STL105NS3LLH7 STL11N6F7 STL120N4F6AG
Modèle de produit STL110N4F7AG STL105NS3LLH7 STL11N6F7 STL120N4F6AG
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 13.7 nC @ 4.5 V 17 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 108A (Tc) 105A (Tc) 11A (Ta) 55A (Tc)
Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 DeepGATE™, STripFET™ VII STripFET™ Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 54A, 10V 3.9mOhm @ 13.5A, 10V 12mOhm @ 5.5A, 10V 3.6mOhm @ 13A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base STL110 STL105 STL11 STL120
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 25 V 2110 pF @ 25 V 1035 pF @ 30 V 3700 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc) 62.5W (Tc) 2.9W (Ta), 48W (Tc) 96W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1.2V @ 1mA (Min) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 30 V 60 V 40 V

Fiche technique STL110N4F7AG PDF

Téléchargez STL110N4F7AG PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL110N4F7AG - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
STL110N4F7AG.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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