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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL105NS3LLH7
STL105NS3LLH7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL105NS3LLH7 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL105NS3LLH7
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL105NS3LLH7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 105A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL105NS3LLH7.pdf
État RoHS
En stock: 5350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL105NS3LLH7
STMicroelectronics - STL105NS3LLH7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL105NS3LLH7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6)  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 13.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2110 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 105A (Tc)  
Numéro de produit de base STL105  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL105NS3LLH7

Attributs du produit STL105NS3LLH7 STL10N3LLH5 STL10N60M2 STL10N65M2
Modèle de produit STL105NS3LLH7 STL10N3LLH5 STL10N60M2 STL10N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6) HV
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII STripFET™ V MDmesh™ II Plus -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2110 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 400 pF @ 100 V 315 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±20V ±22V ±25V ±25V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V 13.5 nC @ 10 V 10.3 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 105A (Tc) 9A (Tc) 5.5A (Tc) 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 13.5A, 10V 19mOhm @ 4.5A, 10V 660mOhm @ 2.5A, 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base STL105 STL10 STL10 STL10
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) 48W (Tc) 48W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA (Min) 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 600 V 650 V

Fiche technique STL105NS3LLH7 PDF

Téléchargez STL105NS3LLH7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL105NS3LLH7 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STL105NS3LLH7.pdf
PCN Obsolescence / EOL
STL105NS3LLH7 13/Sep/2017.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL105NS3LLH7

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