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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL100NH3LL
STL100NH3LL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL100NH3LL - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL100NH3LL
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL100NH3LL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 100A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL100NH3LL.pdf
État RoHS
En stock: 5020

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL100NH3LL
STMicroelectronics - STL100NH3LL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL100NH3LL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6)  
Séries STripFET™ III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 12.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4450 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base STL100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL100NH3LL

Attributs du produit STL100NH3LL STL110N10F7 STL105NS3LLH7 STL11N3LLH6
Modèle de produit STL100NH3LL STL110N10F7 STL105NS3LLH7 STL11N3LLH6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V 72 nC @ 10 V 13.7 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Séries STripFET™ III DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VI
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 12.5A, 10V 6mOhm @ 10A, 10V 3.9mOhm @ 13.5A, 10V 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc) 136W (Tc) 62.5W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 30 V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 1.2V @ 1mA (Min) 1V @ 250µA (Min)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 107A (Tc) 105A (Tc) 11A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4450 pF @ 25 V 5117 pF @ 50 V 2110 pF @ 25 V 1690 pF @ 24 V
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base STL100 STL110 STL105 STL11

Fiche technique STL100NH3LL PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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