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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL10N3LLH5
STL10N3LLH5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL10N3LLH5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL10N3LLH5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL10N3LLH5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL10N3LLH5.pdf
État RoHS
En stock: 67920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL10N3LLH5
STMicroelectronics - STL10N3LLH5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL10N3LLH5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±22V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (3.3x3.3)  
Séries STripFET™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)  
Numéro de produit de base STL10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL10N3LLH5

Attributs du produit STL10N3LLH5 STL100N8F7 STL10N65M2 STL100N6LF6
Modèle de produit STL10N3LLH5 STL100N8F7 STL10N65M2 STL100N6LF6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±22V ±20V ±25V ±20V
Séries STripFET™ V STripFET™ - DeepGATE™, STripFET™ VI
Tension drain-source (Vdss) 30 V 80 V 650 V 60 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 46.8 nC @ 10 V 10.3 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 3435 pF @ 40 V 315 pF @ 100 V 8900 pF @ 25 V
Numéro de produit de base STL10 STL100 STL10 STL100
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc) 100A (Tc) 4.5A (Tc) 100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 50W (Tc) 4.8W (Ta), 120W (Tc) 48W (Tc) 4.8W (Tc)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 4.5A, 10V 6.1mOhm @ 10A, 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V 4.5mOhm @ 11A, 10V

Fiche technique STL10N3LLH5 PDF

Téléchargez STL10N3LLH5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL10N3LLH5 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
Feuilles de données
STL10N3LLH5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL10N3LLH5

STMicroelectronics
32D-STL10N3LLH5

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