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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGWT40HP65FB
STGWT40HP65FB Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGWT40HP65FB - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGWT40HP65FB
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGWT40HP65FB
Modèle ECAD
Description des pièces
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
STGWT40HP65FB Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 21484

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGWT40HP65FB
STMicroelectronics - STGWT40HP65FB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGWT40HP65FB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A  
Condition de test 400V, 40A, 5Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -/142ns  
énergie de commutation 363µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries HB  
Temps de recouvrement inverse (trr) 140 ns  
Puissance - Max 283 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 210 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 80 A  
Numéro de produit de base STGWT40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGWT40HP65FB

Attributs du produit STGWT40HP65FB STGWT40V60DLF STGWT80H65DFB STGWT38IH130D
Modèle de produit STGWT40HP65FB STGWT40V60DLF STGWT80H65DFB STGWT38IH130D
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop -
énergie de commutation 363µJ (off) 411µJ (off) 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 3.4mJ (off)
Numéro de produit de base STGWT40 STGWT40 STGWT80 STGWT38
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Condition de test 400V, 40A, 5Ohm, 15V 400V, 40A, 10Ohm, 15V 400V, 80A, 10Ohm, 15V 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Courant - Collecteur (Ic) (max) 80 A 80 A 120 A 63 A
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160 A 160 A 240 A 125 A
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3 Full Pack
Séries HB - - PowerMESH™
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Puissance - Max 283 W 283 W 469 W 250 W
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -/142ns -/208ns 84ns/280ns -/284ns
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A 2.3V @ 15V, 40A 2V @ 15V, 80A 2.8V @ 15V, 20A
gate charge 210 nC 226 nC 414 nC 127 nC
Temps de recouvrement inverse (trr) 140 ns - 85 ns -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V 600 V 650 V 1300 V

Fiche technique STGWT40HP65FB PDF

Téléchargez STGWT40HP65FB PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGWT40HP65FB - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf TO-3P Marking Chg 11/Apr/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
STGWT40HP65FB Datasheet.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGWT40HP65FB

STMicroelectronics
32D-STGWT40HP65FB

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