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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGWT30HP65FB
STGWT30HP65FB Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGWT30HP65FB - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGWT30HP65FB
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGWT30HP65FB
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT TRENCH 650V 60A TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
STGWT30HP65FB.pdf
État RoHS
En stock: 13856

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGWT30HP65FB
STMicroelectronics - STGWT30HP65FB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGWT30HP65FB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A  
Condition de test 400V, 30A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -/146ns  
énergie de commutation 293µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries HB  
Temps de recouvrement inverse (trr) 140 ns  
Puissance - Max 260 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 149 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A  
Numéro de produit de base STGWT30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGWT30HP65FB

Attributs du produit STGWT30HP65FB STGWT40H65DFB STGWT20HP65FB STGWT30V60DF
Modèle de produit STGWT30HP65FB STGWT40H65DFB STGWT20HP65FB STGWT30V60DF
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries HB - HB -
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A 2V @ 15V, 40A 2V @ 15V, 20A 2.3V @ 15V, 30A
Temps de recouvrement inverse (trr) 140 ns 62 ns 140 ns 53 ns
Puissance - Max 260 W 283 W 168 W 258 W
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A 160 A 80 A 120 A
énergie de commutation 293µJ (off) 498µJ (on), 363µJ (off) 170µJ (off) 383µJ (on), 233µJ (off)
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
type de IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Numéro de produit de base STGWT30 STGWT40 STGWT20 STGWT30
gate charge 149 nC 210 nC 120 nC 163 nC
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A 80 A 40 A 60 A
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Condition de test 400V, 30A, 10Ohm, 15V 400V, 40A, 5Ohm, 15V 400V, 20A, 10Ohm, 15V 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V 650 V 650 V 600 V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -/146ns 40ns/142ns -/139ns 45ns/189ns

Fiche technique STGWT30HP65FB PDF

Téléchargez STGWT30HP65FB PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGWT30HP65FB - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf TO-3P Marking Chg 11/Apr/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
STGWT30HP65FB.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGWT30HP65FB

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32D-STGWT30HP65FB

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