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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGWT80V60DF
STGWT80V60DF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGWT80V60DF - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGWT80V60DF
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGWT80V60DF
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 120A 469W TO-3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
STGW(T)80V60DF.pdf
État RoHS
En stock: 8188

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGWT80V60DF
STMicroelectronics - STGWT80V60DF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGWT80V60DF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 80A  
Condition de test 400V, 80A, 5Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 60ns/220ns  
énergie de commutation 1.8mJ (on), 1mJ (off)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 60 ns  
Puissance - Max 469 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 448 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120 A  
Numéro de produit de base STGWT80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGWT80V60DF

Attributs du produit STGWT80V60DF STGWT38IH130D STGWT30V60DF STGWT40V60DLF
Modèle de produit STGWT80V60DF STGWT38IH130D STGWT30V60DF STGWT40V60DLF
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Condition de test 400V, 80A, 5Ohm, 15V 960V, 20A, 10Ohm, 15V 400V, 30A, 10Ohm, 15V 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 60ns/220ns -/284ns 45ns/189ns -/208ns
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240 A 125 A 120 A 160 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 1300 V 600 V 600 V
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Séries - PowerMESH™ - -
Puissance - Max 469 W 250 W 258 W 283 W
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120 A 63 A 60 A 80 A
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 80A 2.8V @ 15V, 20A 2.3V @ 15V, 30A 2.3V @ 15V, 40A
type de IGBT Trench Field Stop - Trench Field Stop Trench Field Stop
énergie de commutation 1.8mJ (on), 1mJ (off) 3.4mJ (off) 383µJ (on), 233µJ (off) 411µJ (off)
Numéro de produit de base STGWT80 STGWT38 STGWT30 STGWT40
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
gate charge 448 nC 127 nC 163 nC 226 nC
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Temps de recouvrement inverse (trr) 60 ns - 53 ns -

Fiche technique STGWT80V60DF PDF

Téléchargez STGWT80V60DF PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGWT80V60DF - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf TO-3P Marking Chg 11/Apr/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
New molding compound 11/Jul/2019.pdf
Feuilles de données
STGW(T)80V60DF.pdf
PCN Obsolescence / EOL
STGWT80V60yy 12/Feb/2021.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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