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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGWT30H65FB
STGWT30H65FB Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGWT30H65FB - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGWT30H65FB
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGWT30H65FB
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 650V 30A 260W TO3PL
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
STGW(T)30H65FB.pdf
État RoHS
En stock: 19837

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGWT30H65FB
STMicroelectronics - STGWT30H65FB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGWT30H65FB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A  
Condition de test 400V, 30A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 37ns/146ns  
énergie de commutation 151µJ (on), 293µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries -  
Puissance - Max 260 W  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 149 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 30 A  
Numéro de produit de base STGWT30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGWT30H65FB

Attributs du produit STGWT30H65FB STGWT40V60DF STGWT20V60DF STGWT38IH130D
Modèle de produit STGWT30H65FB STGWT40V60DF STGWT20V60DF STGWT38IH130D
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 37ns/146ns 52ns/208ns 38ns/149ns -/284ns
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3 Full Pack
énergie de commutation 151µJ (on), 293µJ (off) 456µJ (on), 411µJ (off) 200µJ (on), 130µJ (off) 3.4mJ (off)
gate charge 149 nC 226 nC 116 nC 127 nC
type de IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V 600 V 600 V 1300 V
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A 160 A 80 A 125 A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 30 A 80 A 40 A 63 A
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A 2.3V @ 15V, 40A 2.2V @ 15V, 20A 2.8V @ 15V, 20A
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Condition de test 400V, 30A, 10Ohm, 15V 400V, 40A, 10Ohm, 15V 400V, 20A, 15V 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Séries - - - PowerMESH™
Numéro de produit de base STGWT30 STGWT40 STGWT20 STGWT38
Puissance - Max 260 W 283 W 167 W 250 W
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard

Fiche technique STGWT30H65FB PDF

Téléchargez STGWT30H65FB PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGWT30H65FB - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf TO-3P Marking Chg 11/Apr/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
New molding compound 11/Jul/2019.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev 7/Apr/2020.pdf
Feuilles de données
STGW(T)30H65FB.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGWT30H65FB

STMicroelectronics
32D-STGWT30H65FB

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