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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGB20NB37LZT4
STGB20NB37LZT4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGB20NB37LZT4 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGB20NB37LZT4
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGB20NB37LZT4
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STGB20NB37LZ.pdf
État RoHS
En stock: 3830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGB20NB37LZT4
STMicroelectronics - STGB20NB37LZT4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGB20NB37LZT4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 425 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 4.5V, 20A  
Condition de test 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 2.3µs/2µs  
énergie de commutation 11.8mJ (off)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries PowerMESH™  
Puissance - Max 200 W  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 51 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40 A  
Numéro de produit de base STGB20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGB20NB37LZT4

Attributs du produit STGB20NB37LZT4 STGB20NB37LZ STGB20N45LZAG STGB20NC60VT4
Modèle de produit STGB20NB37LZT4 STGB20NB37LZ STGB20N45LZAG STGB20NC60VT4
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Puissance - Max 200 W 200 W 150 W 200 W
type de IGBT - - - -
Séries PowerMESH™ PowerMESH™ Automotive, AEC-Q101 PowerMESH™
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 2.3µs/2µs 2.3µs/2µs 1.1µs/4.6µs 31ns/100ns
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
gate charge 51 nC 51 nC 26 nC 100 nC
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Condition de test 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V 300V, 10A, 1kOhm, 5V 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40 A 40 A 25 A 60 A
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
énergie de commutation 11.8mJ (off) 11.8mJ (off) - 220µJ (on), 330µJ (off)
Type d'entrée Standard Standard Logic Standard
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 425 V 425 V 450 V 600 V
Numéro de produit de base STGB20 STGB20 STGB20 STGB20
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 4.5V, 20A 2V @ 4.5V, 20A 1.25V @ 4V, 6A 2.5V @ 15V, 20A
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A 80 A 50 A 100 A

Fiche technique STGB20NB37LZT4 PDF

Téléchargez STGB20NB37LZT4 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGB20NB37LZT4 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult IGBT OBS 21/Dec/2017.pdf
Feuilles de données
STGB20NB37LZ.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGB20NB37LZT4

STMicroelectronics
32D-STGB20NB37LZT4

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