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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGB30V60DF
STGB30V60DF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGB30V60DF - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGB30V60DF
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGB30V60DF
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 60A 258W D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STGx(x)30V60DF.pdf
État RoHS
En stock: 19484

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGB30V60DF
STMicroelectronics - STGB30V60DF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGB30V60DF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A  
Condition de test 400V, 30A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 45ns/189ns  
énergie de commutation 383µJ (on), 233µJ (off)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 53 ns  
Puissance - Max 258 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 163 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A  
Numéro de produit de base STGB30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGB30V60DF

Attributs du produit STGB30V60DF STGB35N35LZT4 STGB20NC60VT4 STGB3NC120HDT4
Modèle de produit STGB30V60DF STGB35N35LZT4 STGB20NC60VT4 STGB3NC120HDT4
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Puissance - Max 258 W 176 W 200 W 75 W
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 345 V 600 V 1200 V
Numéro de produit de base STGB30 STGB35 STGB20 STGB3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Condition de test 400V, 30A, 10Ohm, 15V 300V, 15A, 5V 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 45ns/189ns 1.1µs/26.5µs 31ns/100ns 15ns/118ns
type de IGBT Trench Field Stop - - -
Séries - PowerMESH™ PowerMESH™ PowerMESH™
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A 80 A 100 A 20 A
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A 1.7V @ 4.5V, 15A 2.5V @ 15V, 20A 2.8V @ 15V, 3A
Type d'entrée Standard Logic Standard Standard
gate charge 163 nC 49 nC 100 nC 24 nC
Package composant fournisseur D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A 40 A 60 A 14 A
énergie de commutation 383µJ (on), 233µJ (off) - 220µJ (on), 330µJ (off) 236µJ (on), 290µJ (off)
Temps de recouvrement inverse (trr) 53 ns - - 51 ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique STGB30V60DF PDF

Téléchargez STGB30V60DF PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGB30V60DF - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
STGx(x)30V60DF.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGB30V60DF

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