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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGB19NC60KDT4
STGB19NC60KDT4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGB19NC60KDT4 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGB19NC60KDT4
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGB19NC60KDT4
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 35A 125W D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STGx19NC60KD.pdf
État RoHS
En stock: 7652

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGB19NC60KDT4
STMicroelectronics - STGB19NC60KDT4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGB19NC60KDT4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 12A  
Condition de test 480V, 12A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 30ns/105ns  
énergie de commutation 165µJ (on), 255µJ (off)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries PowerMESH™  
Temps de recouvrement inverse (trr) 31 ns  
Puissance - Max 125 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 55 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 75 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35 A  
Numéro de produit de base STGB19  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGB19NC60KDT4

Attributs du produit STGB19NC60KDT4 STGB19NC60HDT4 STGB20NB37LZ STGB14NC60KDT4
Modèle de produit STGB19NC60KDT4 STGB19NC60HDT4 STGB20NB37LZ STGB14NC60KDT4
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
énergie de commutation 165µJ (on), 255µJ (off) 85µJ (on), 189µJ (off) 11.8mJ (off) 82µJ (on), 155µJ (off)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base STGB19 STGB19 STGB20 STGB14
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 75 A 60 A 80 A 50 A
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Temps de recouvrement inverse (trr) 31 ns 31 ns - 37 ns
Séries PowerMESH™ PowerMESH™ PowerMESH™ PowerMESH™
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 30ns/105ns 25ns/97ns 2.3µs/2µs 22.5ns/116ns
Condition de test 480V, 12A, 10Ohm, 15V 390V, 12A, 10Ohm, 15V 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35 A 40 A 40 A 25 A
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
type de IGBT - - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 425 V 600 V
Puissance - Max 125 W 130 W 200 W 80 W
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
gate charge 55 nC 53 nC 51 nC 34.4 nC
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 12A 2.5V @ 15V, 12A 2V @ 4.5V, 20A 2.5V @ 15V, 7A

Fiche technique STGB19NC60KDT4 PDF

Téléchargez STGB19NC60KDT4 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGB19NC60KDT4 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Conception / spécification PCN
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
Assemblage / origine PCN
D2PAK 22/Jun/2016.pdf
Feuilles de données
STGx19NC60KD.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STGB19NC60KDT4

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