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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGB30M65DF2
STGB30M65DF2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGB30M65DF2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGB30M65DF2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGB30M65DF2
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 650V 30A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STGB30M65DF2.pdf
État RoHS
En stock: 13620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGB30M65DF2
STMicroelectronics - STGB30M65DF2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGB30M65DF2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A  
Condition de test 400V, 30A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 31.6ns/115ns  
énergie de commutation 300µJ (on), 960µJ (off)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 140 ns  
Puissance - Max 258 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 80 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A  
Numéro de produit de base STGB30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGB30M65DF2

Attributs du produit STGB30M65DF2 STGB25N40LZAG STGB5H60DF STGB3NC120HDT4
Modèle de produit STGB30M65DF2 STGB25N40LZAG STGB5H60DF STGB3NC120HDT4
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Temps de recouvrement inverse (trr) 140 ns - 134.5 ns 51 ns
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A 1.25V @ 4V, 6A 1.95V @ 15V, 5A 2.8V @ 15V, 3A
Type d'entrée Standard Logic Standard Standard
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
énergie de commutation 300µJ (on), 960µJ (off) - 56µJ (on), 78.5µJ (off) 236µJ (on), 290µJ (off)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - Automotive, AEC-Q101 - PowerMESH™
Puissance - Max 258 W 150 W 88 W 75 W
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A 25 A 10 A 14 A
Numéro de produit de base STGB30 STGB25 STGB5 STGB3
gate charge 80 nC 26 nC 43 nC 24 nC
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V 435 V 600 V 1200 V
Condition de test 400V, 30A, 10Ohm, 15V 300V, 10A, 1kOhm, 5V 400V, 5A, 47Ohm, 15V 800V, 3A, 10Ohm, 15V
type de IGBT Trench Field Stop - Trench Field Stop -
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A 50 A 20 A 20 A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 31.6ns/115ns 1.1µs/4.6µs 30ns/140ns 15ns/118ns

Fiche technique STGB30M65DF2 PDF

Téléchargez STGB30M65DF2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGB30M65DF2 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
STGB30M65DF2.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGB30M65DF2

STMicroelectronics
32D-STGB30M65DF2

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