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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF3NK80Z
STF3NK80Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF3NK80Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF3NK80Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF3NK80Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx3NK80Z(-1).pdf
État RoHS
En stock: 40820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF3NK80Z
STMicroelectronics - STF3NK80Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF3NK80Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STF3NK80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF3NK80Z

Attributs du produit STF3NK80Z STF3NK100Z STF42N65M5 STF40N60M2
Modèle de produit STF3NK80Z STF3NK100Z STF42N65M5 STF40N60M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.25A, 10V 6Ohm @ 1.25A, 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 88mOhm @ 17A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 25W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 800 V 1000 V 650 V 600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V 601 pF @ 25 V 4650 pF @ 100 V 2500 pF @ 100 V
Séries SuperMESH™ SuperMESH™ MDmesh™ V MDmesh™ II Plus
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc) 2.5A (Tc) 33A (Tc) 34A (Tc)
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STF3NK80 STF3NK100 STF42 STF40
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique STF3NK80Z PDF

Téléchargez STF3NK80Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF3NK80Z - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Feuilles de données
STx3NK80Z(-1).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF3NK80Z

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