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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF3NK100Z
STF3NK100Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF3NK100Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF3NK100Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF3NK100Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx3NK100Z.pdf
État RoHS
En stock: 21531

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF3NK100Z
STMicroelectronics - STF3NK100Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF3NK100Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1.25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 601 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STF3NK100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF3NK100Z

Attributs du produit STF3NK100Z STF42N65M5 STF3NK80Z STF36N60M6
Modèle de produit STF3NK100Z STF42N65M5 STF3NK80Z STF36N60M6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries SuperMESH™ MDmesh™ V SuperMESH™ MDmesh™ M6
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 601 pF @ 25 V 4650 pF @ 100 V 485 pF @ 25 V 1960 pF @ 100 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.75V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc) 33A (Tc) 2.5A (Tc) 30A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 40W (Tc) 25W (Tc) 40W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STF3NK100 STF42 STF3NK80 STF36
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 650 V 800 V 600 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 44.3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1.25A, 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 4.5Ohm @ 1.25A, 10V 99mOhm @ 15A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique STF3NK100Z PDF

Téléchargez STF3NK100Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF3NK100Z - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
Feuilles de données
STx3NK100Z.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF3NK100Z

STMicroelectronics
32D-STF3NK100Z

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