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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF3HNK90Z
STF3HNK90Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF3HNK90Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF3HNK90Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF3HNK90Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
ST(F,P)3HNK90Z.pdf
État RoHS
En stock: 5470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF3HNK90Z
STMicroelectronics - STF3HNK90Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF3HNK90Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base STF3HN  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF3HNK90Z

Attributs du produit STF3HNK90Z STF35N60DM2 STF34N65M5 STF3LN80K5
Modèle de produit STF3HNK90Z STF35N60DM2 STF34N65M5 STF3LN80K5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 40W (Tc) 35W (Tc) 20W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 2.63 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STF3HN STF35 STF34 STF3LN80
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 1.5A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V 3.25Ohm @ 1A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries SuperMESH™ MDmesh™ DM2 MDmesh™ V MDmesh™ K5
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V 650 V 800 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 28A (Tc) 28A (Tc) 2A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V 2400 pF @ 100 V 2590 pF @ 100 V 102 pF @ 100 V

Fiche technique STF3HNK90Z PDF

Téléchargez STF3HNK90Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF3HNK90Z - STMicroelectronics.

Feuilles de données
ST(F,P)3HNK90Z.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF3HNK90Z

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