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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF3N80K5
STF3N80K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF3N80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF3N80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF3N80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx3N80K5.pdf
État RoHS
En stock: 29603

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF3N80K5
STMicroelectronics - STF3N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF3N80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STF3N80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF3N80K5

Attributs du produit STF3N80K5 STF38N65M5 STF40NF06 STF3LN62K3
Modèle de produit STF3N80K5 STF38N65M5 STF40NF06 STF3LN62K3
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 800 V 650 V 60 V 620 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 10V 95mOhm @ 15A, 10V 28mOhm @ 11.5A, 10V 3Ohm @ 1.25A, 10V
Numéro de produit de base STF3N80 STF38 STF40 STF3LN
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 100 V 3000 pF @ 100 V 920 pF @ 25 V 386 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Séries SuperMESH5™ MDmesh™ V STripFET™ II SuperMESH3™
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc) 35W (Tc) 30W (Tc) 20W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc) 30A (Tc) 23A (Tc) 2.5A (Tc)

Fiche technique STF3N80K5 PDF

Téléchargez STF3N80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF3N80K5 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Feuilles de données
STx3N80K5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF3N80K5

STMicroelectronics
32D-STF3N80K5

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