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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF18N65M5
STF18N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF18N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF18N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF18N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 15A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx18N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 5480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF18N65M5
STMicroelectronics - STF18N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF18N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base STF18  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF18N65M5

Attributs du produit STF18N65M5 STF18N55M5 STF18N60DM2 STF17NF25
Modèle de produit STF18N65M5 STF18N55M5 STF18N60DM2 STF17NF25
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 16A (Tc) 13A (Tc) 17A (Tc)
Séries MDmesh™ V MDmesh™ V MDmesh™ DM2 STripFET™ II
Numéro de produit de base STF18 STF18 STF18 STF17
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 29.5 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 100 V 1260 pF @ 100 V 800 pF @ 100 V 1000 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension drain-source (Vdss) 650 V 550 V 600 V 250 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 7.5A, 10V 192mOhm @ 8A, 10V 295mOhm @ 6A, 10V 165mOhm @ 8.5A, 10V
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -

Fiche technique STF18N65M5 PDF

Téléchargez STF18N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF18N65M5 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
STx18N65M5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF18N65M5

STMicroelectronics
32D-STF18N65M5

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