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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF18NM80
STF18NM80 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF18NM80 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF18NM80
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF18NM80
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx18NM80.pdf
État RoHS
En stock: 9683

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF18NM80
STMicroelectronics - STF18NM80 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF18NM80

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2070 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base STF18  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF18NM80

Attributs du produit STF18NM80 STF18N60M2 STF19NF20 STF18N60DM2
Modèle de produit STF18NM80 STF18N60M2 STF19NF20 STF18N60DM2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 21.5 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±25V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2070 pF @ 50 V 791 pF @ 100 V 800 pF @ 25 V 800 pF @ 100 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 8.5A, 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 160mOhm @ 7.5A, 10V 295mOhm @ 6A, 10V
Séries MDmesh™ MDmesh™ II Plus MESH OVERLAY™ MDmesh™ DM2
Numéro de produit de base STF18 STF18 STF19 STF18
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 13A (Tc) 15A (Tc) 13A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V 200 V 600 V
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP

Fiche technique STF18NM80 PDF

Téléchargez STF18NM80 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF18NM80 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Mult Devices 27/Feb/2019.pdf
Feuilles de données
STx18NM80.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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