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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF17N80K5
STF17N80K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF17N80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF17N80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF17N80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STF17N80K5.pdf
État RoHS
En stock: 16585

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF17N80K5
STMicroelectronics - STF17N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF17N80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 866 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base STF17  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF17N80K5

Attributs du produit STF17N80K5 STF16N65M5 STF16N60M6 STF16NM50N
Modèle de produit STF17N80K5 STF16N65M5 STF16N60M6 STF16NM50N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 16.7 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 15A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 7A, 10V 299mOhm @ 6A, 10V 320mOhm @ 6A, 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V
Numéro de produit de base STF17 STF16 STF16 STF16
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries MDmesh™ K5 MDmesh™ V UltraFASTmesh™ MDmesh™ II
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 866 pF @ 100 V 1250 pF @ 100 V 575 pF @ 100 V 1200 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Tension drain-source (Vdss) 800 V 650 V 600 V 500 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

Fiche technique STF17N80K5 PDF

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Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF17N80K5

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32D-STF17N80K5

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