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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF19NM50N
STF19NM50N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF19NM50N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF19NM50N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF19NM50N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx19NM50N.pdf
État RoHS
En stock: 15304

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF19NM50N
STMicroelectronics - STF19NM50N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF19NM50N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base STF19  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF19NM50N

Attributs du produit STF19NM50N STF18NM80 STF19NM65N STF18N65M5
Modèle de produit STF19NM50N STF18NM80 STF19NM65N STF18N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension drain-source (Vdss) 500 V 800 V 650 V 650 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 17A (Tc) 15.5A (Tc) 15A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V 2070 pF @ 50 V 1900 pF @ 50 V 1240 pF @ 100 V
Séries MDmesh™ II MDmesh™ MDmesh™ II MDmesh™ V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 40W (Tc) 35W (Tc) 25W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 7A, 10V 295mOhm @ 8.5A, 10V 270mOhm @ 7.75A, 10V 220mOhm @ 7.5A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STF19 STF18 STF19 STF18
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V

Fiche technique STF19NM50N PDF

Téléchargez STF19NM50N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF19NM50N - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
Feuilles de données
STx19NM50N.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF19NM50N

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