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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD10N60M2
STD10N60M2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD10N60M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD10N60M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD10N60M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STx10N60M2.pdf
État RoHS
En stock: 58570

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD10N60M2
STMicroelectronics - STD10N60M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD10N60M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 85W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STD10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD10N60M2

Attributs du produit STD10N60M2 STD10LN80K5 STD10N60DM2 STD1063T4
Modèle de produit STD10N60M2 STD10LN80K5 STD10N60DM2 STD1063T4
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics onsemi
Dissipation de puissance (max) 85W (Tc) 110W (Tc) 109W (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 800 V 650 V -
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base STD10 STD10 STD10 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 100 V 427 pF @ 100 V 529 pF @ 100 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc) 8A (Tc) 8A (Tc) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Séries MDmesh™ II Plus MDmesh™ K5 MDmesh™ DM2 *
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Package composant fournisseur DPAK D-PAK (TO-252) DPAK -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V 630mOhm @ 4A, 10V 530mOhm @ 4A, 10V -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V -

Fiche technique STD10N60M2 PDF

Téléchargez STD10N60M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD10N60M2 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Reel Design Change 22/Aug/2022.pdf
Feuilles de données
STx10N60M2.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD10N60M2

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32D-STD10N60M2

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