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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD10N60DM2
STD10N60DM2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD10N60DM2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD10N60DM2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD10N60DM2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STD10N60DM2 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 52540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD10N60DM2
STMicroelectronics - STD10N60DM2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD10N60DM2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries MDmesh™ DM2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 109W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  
Numéro de produit de base STD10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD10N60DM2

Attributs du produit STD10N60DM2 STD100NH03LT4 STD10NF10T4 STD10N60M2
Modèle de produit STD10N60DM2 STD100NH03LT4 STD10NF10T4 STD10N60M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V
Séries MDmesh™ DM2 STripFET™ III STripFET™ II MDmesh™ II Plus
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 109W (Tc) 100W (Tc) 50W (Tc) 85W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±25V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 10V 10V
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK DPAK
Tension drain-source (Vdss) 650 V 30 V 100 V 600 V
Numéro de produit de base STD10 STD10 STD10 STD10
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 60A (Tc) 13A (Tc) 7.5A (Tc)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 4A, 10V 5.5mOhm @ 30A, 10V 130mOhm @ 5A, 10V 600mOhm @ 3A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 100 V 4100 pF @ 15 V 460 pF @ 25 V 400 pF @ 100 V

Fiche technique STD10N60DM2 PDF

Téléchargez STD10N60DM2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD10N60DM2 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Site 22/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
STD10N60DM2 Datasheet.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD10N60DM2

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