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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD10LN80K5
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD10LN80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD10LN80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD10LN80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STD10LN80K5.pdf
État RoHS
En stock: 18764

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD10LN80K5
STMicroelectronics - STD10LN80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD10LN80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252)  
Séries MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 427 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  
Numéro de produit de base STD10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD10LN80K5

Attributs du produit STD10LN80K5 STD10N60M6 STD1063T4 STD10N60M2
Modèle de produit STD10LN80K5 STD10N60M6 STD1063T4 STD10N60M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics onsemi STMicroelectronics
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 60W (Tc) - 85W (Tc)
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252) D-PAK (TO-252) - DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630mOhm @ 4A, 10V 600mOhm @ 3.2A, 10V - 600mOhm @ 3A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V - 600 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 6.4A (Tc) - 7.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
type de FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4.75V @ 250µA - 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Séries MDmesh™ K5 MDmesh™ M6 * MDmesh™ II Plus
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 427 pF @ 100 V 338 pF @ 100 V - 400 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±30V ±25V - ±25V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 8.8 nC @ 10 V - 13.5 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STD10 STD10 - STD10

Fiche technique STD10LN80K5 PDF

Téléchargez STD10LN80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD10LN80K5 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Site 22/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
STD10LN80K5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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