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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHAT2197R-EL-E
HAT2197R-EL-E Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HAT2197R-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
HAT2197R-EL-E
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HAT2197R-EL-E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
HAT2197R-EL-E.pdf
État RoHS
En stock: 3990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HAT2197R-EL-E
Renesas Electronics America Inc - HAT2197R-EL-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - HAT2197R-EL-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta)  
Numéro de produit de base HAT2197  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc HAT2197R-EL-E

Attributs du produit HAT2197R-EL-E HAT2198WP-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2199R-EL-E
Modèle de produit HAT2197R-EL-E HAT2198WP-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2199R-EL-E
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Renesas Electronics America Inc
Numéro de produit de base HAT2197 - - -
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 10 V - 3400 pF @ 10 V 1060 pF @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 8A, 10V - 5.8mOhm @ 9A, 10V 16.5mOhm @ 5.5A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V - 30 V 30 V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V - 23 nC @ 4.5 V 7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id - - 2.5V @ 1mA -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) - 2.5W 2W (Ta)
type de FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur 8-SOP - 8-SOP 8-SOP
Séries - * - -
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta) - 18A 11A (Ta)

Fiche technique HAT2197R-EL-E PDF

Téléchargez HAT2197R-EL-E PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour HAT2197R-EL-E - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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