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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHAT2195R-EL-E
Renesas
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HAT2195R-EL-E - Renesas

Fabricant Modèle de produit
HAT2195R-EL-E
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HAT2195R-EL-E
Modèle ECAD
Description des pièces
HAT2195R - N Channel MOSFET High
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
HAT2195R-EL-E.pdf
En stock: 5390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HAT2195R-EL-E
Renesas - HAT2195R-EL-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas - HAT2195R-EL-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas HAT2195R-EL-E

Attributs du produit HAT2195R-EL-E HAT2197R-EL-E HAT2196C-EL-E HAT2183WP-EL-E MOS
Modèle de produit HAT2195R-EL-E HAT2197R-EL-E HAT2196C-EL-E HAT2183WP-EL-E MOS
Fabricant Renesas Renesas Electronics America Inc Renesas Renesas Electronics Corporation
Dissipation de puissance (max) 2.5W 2.5W (Ta) 850mW (Ta) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 9A, 10V 6.7mOhm @ 8A, 10V 58mOhm @ 1.3A, 4.5V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V 2.8 nC @ 4.5 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C 150°C (TJ) 150°C -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - 1.4V @ 1mA -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Séries - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-SMD, Flat Leads -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 20 V -
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk -
Package composant fournisseur 8-SOP 8-SOP 6-CMFPAK -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 10 V 2650 pF @ 10 V 270 pF @ 10 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A 16A (Ta) 2.5A (Ta) -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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