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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHAT2199R-EL-E
Renesas Electronics America Inc
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HAT2199R-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
HAT2199R-EL-E
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HAT2199R-EL-E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
HAT2199R-EL-E.pdf
État RoHS
En stock: 33770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HAT2199R-EL-E
Renesas Electronics America Inc - HAT2199R-EL-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - HAT2199R-EL-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc HAT2199R-EL-E

Attributs du produit HAT2199R-EL-E HAT2198WP-EL-E HAT2197R-EL-E HAT2201WP-EL-E
Modèle de produit HAT2199R-EL-E HAT2198WP-EL-E HAT2197R-EL-E HAT2201WP-EL-E
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) - 2.5W (Ta) -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerWDFN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V - 18 nC @ 4.5 V 21 nC @ 10 V
Package composant fournisseur 8-SOP - 8-SOP 8-WPAK
Fonction FET - - - -
Séries - * - -
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 10 V - 2650 pF @ 10 V 1450 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 5.5A, 10V - 6.7mOhm @ 8A, 10V 43mOhm @ 7.5A, 10V
type de FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta) - 16A (Ta) 15A (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V - 30 V 100 V

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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