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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHAT2196C-EL-E
Renesas
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HAT2196C-EL-E - Renesas

Fabricant Modèle de produit
HAT2196C-EL-E
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HAT2196C-EL-E
Modèle ECAD
Description des pièces
HAT2196C - N-CHANNEL POWER MOSFE
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
HAT2196C-EL-E.pdf
En stock: 130640

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HAT2196C-EL-E
Renesas - HAT2196C-EL-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas - HAT2196C-EL-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-CMFPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 1.3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 850mW (Ta)  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas HAT2196C-EL-E

Attributs du produit HAT2196C-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2197R-EL-E HAT2187WP-EL-E
Modèle de produit HAT2196C-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2197R-EL-E HAT2187WP-EL-E
Fabricant Renesas Renesas Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics Corporation
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V -
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta) 18A 16A (Ta) -
Température de fonctionnement 150°C -55°C ~ 150°C 150°C (TJ) -
Fonction FET - - - -
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) -
Dissipation de puissance (max) 850mW (Ta) 2.5W 2.5W (Ta) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 1mA 2.5V @ 1mA - -
Package composant fournisseur 6-CMFPAK 8-SOP 8-SOP -
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V 3400 pF @ 10 V 2650 pF @ 10 V -
Séries - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 1.3A, 4.5V 5.8mOhm @ 9A, 10V 6.7mOhm @ 8A, 10V -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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