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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT34N80B2C3G
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT34N80B2C3G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT34N80B2C3G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT34N80B2C3G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Description détaillée
Emballage
TO-247-3 Variant
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 5047

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT34N80B2C3G
Microchip Technology - APT34N80B2C3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT34N80B2C3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur T-MAX™ [B2]  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 417W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3 Variant  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 355 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc)  
Numéro de produit de base APT34N80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT34N80B2C3G

Attributs du produit APT34N80B2C3G APT34F60B APT34F100L APT34F100B2
Modèle de produit APT34N80B2C3G APT34F60B APT34F100L APT34F100B2
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Numéro de produit de base APT34N80 APT34F60 APT34F100 APT34F100
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 355 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 417W (Tc) 624W (Tc) 1135W (Tc) 1135W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Package / Boîte TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 Variant
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V 1000 V 1000 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 25 V 6640 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 22A, 10V 210mOhm @ 17A, 10V 400mOhm @ 18A, 10V 380mOhm @ 18A, 10V
Séries - - - POWER MOS 8™
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur T-MAX™ [B2] TO-247 [B] TO-264 [L] T-MAX™ [B2]
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc) 36A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)

Fiche technique APT34N80B2C3G PDF

Téléchargez APT34N80B2C3G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT34N80B2C3G - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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