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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT34M60B
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT34M60B - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT34M60B
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT34M60B
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 36A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 3192

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT34M60B
Microchip Technology - APT34M60B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT34M60B

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 [B]  
Séries POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 624W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6640 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  
Numéro de produit de base APT34M60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT34M60B

Attributs du produit APT34M60B APT34N80B2C3G APT34F100B2 APT34F100L
Modèle de produit APT34M60B APT34N80B2C3G APT34F100B2 APT34F100L
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Tension drain-source (Vdss) 600 V 800 V 1000 V 1000 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V 355 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-247 [B] T-MAX™ [B2] T-MAX™ [B2] TO-264 [L]
Numéro de produit de base APT34M60 APT34N80 APT34F100 APT34F100
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 3.9V @ 2mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 34A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries POWER MOS 8™ - POWER MOS 8™ -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6640 pF @ 25 V 4510 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 624W (Tc) 417W (Tc) 1135W (Tc) 1135W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-264-3, TO-264AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 17A, 10V 145mOhm @ 22A, 10V 380mOhm @ 18A, 10V 400mOhm @ 18A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique APT34M60B PDF

Téléchargez APT34M60B PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT34M60B - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblage / origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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