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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleAPT33GF120LRDQ2G
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT33GF120LRDQ2G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT33GF120LRDQ2G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT33GF120LRDQ2G
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 1200V 64A 357W TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
APT33GF120LRDQ2G.pdf
En stock: 4600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT33GF120LRDQ2G
Microchip Technology - APT33GF120LRDQ2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT33GF120LRDQ2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A  
Condition de test 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 14ns/185ns  
énergie de commutation 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)  
Package composant fournisseur TO-264 [L]  
Séries -  
Puissance - Max 357 W  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT NPT  
gate charge 170 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 75 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 64 A  
Numéro de produit de base APT33GF120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT33GF120LRDQ2G

Attributs du produit APT33GF120LRDQ2G APT35GP120B2DQ2G APT33GF120B2RDQ2G APT35GN120BG
Modèle de produit APT33GF120LRDQ2G APT35GP120B2DQ2G APT33GF120B2RDQ2G APT35GN120BG
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
énergie de commutation 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) 750µJ (on), 680µJ (off) 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) 2.315mJ (off)
Numéro de produit de base APT33GF120 APT35GP120 APT33GF120 APT35GN120
Puissance - Max 357 W 543 W 357 W 379 W
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - POWER MOS 7® - -
gate charge 170 nC 150 nC 170 nC 220 nC
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3
type de IGBT NPT PT NPT NPT, Trench Field Stop
Courant - Collecteur (Ic) (max) 64 A 96 A 64 A 94 A
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Condition de test 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A 3.9V @ 15V, 35A 3V @ 15V, 25A 2.1V @ 15V, 35A
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 75 A 140 A 75 A 105 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 14ns/185ns 16ns/95ns 14ns/185ns 24ns/300ns
Package composant fournisseur TO-264 [L] - - TO-247 [B]

Fiche technique APT33GF120LRDQ2G PDF

Téléchargez APT33GF120LRDQ2G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT33GF120LRDQ2G - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
APT1/2/3/4/5/6/8xx 22/Dec/2022.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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