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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleAPT35GP120BG
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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APT35GP120BG - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT35GP120BG
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT35GP120BG
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 1200V 96A 543W TO247
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 3677

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques APT35GP120BG
Microchip Technology - APT35GP120BG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT35GP120BG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A  
Condition de test 600V, 35A, 5Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 16ns/94ns  
énergie de commutation 750µJ (on), 680µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247 [B]  
Séries POWER MOS 7®  
Puissance - Max 543 W  
Package / Boîte TO-247-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT PT  
gate charge 150 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 140 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 96 A  
Numéro de produit de base APT35GP120  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT35GP120BG

Attributs du produit APT35GP120BG APT35GP120B2DQ2G APT35GN120BG APT35GP120JDX
Modèle de produit APT35GP120BG APT35GP120B2DQ2G APT35GN120BG APT35GP120JDX
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology APT
Puissance - Max 543 W 543 W 379 W -
Type d'entrée Standard Standard Standard -
Numéro de produit de base APT35GP120 APT35GP120 APT35GN120 -
énergie de commutation 750µJ (on), 680µJ (off) 750µJ (on), 680µJ (off) 2.315mJ (off) -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 16ns/94ns 16ns/95ns 24ns/300ns -
Package composant fournisseur TO-247 [B] - TO-247 [B] -
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-247-3 -
gate charge 150 nC 150 nC 220 nC -
Séries POWER MOS 7® POWER MOS 7® - -
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 140 A 140 A 105 A -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 96 A 96 A 94 A -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 1200 V 1200 V -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A 3.9V @ 15V, 35A 2.1V @ 15V, 35A -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Emballer Tube Tube Tube -
type de IGBT PT PT NPT, Trench Field Stop -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Condition de test 600V, 35A, 5Ohm, 15V 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V -

Fiche technique APT35GP120BG PDF

Téléchargez APT35GP120BG PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT35GP120BG - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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