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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT32F120J
APT32F120J Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT32F120J - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT32F120J
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT32F120J
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 33A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 749

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT32F120J
Microchip Technology - APT32F120J Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT32F120J

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 560 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)  
Numéro de produit de base APT32F120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT32F120J

Attributs du produit APT32F120J APT34F60B APT34F100L APT34M120J
Modèle de produit APT32F120J APT34F60B APT34F100L APT34M120J
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 25A, 10V 210mOhm @ 17A, 10V 400mOhm @ 18A, 10V 300mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur ISOTOP® TO-247 [B] TO-264 [L] SOT-227
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 560 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V 560 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18200 pF @ 25 V 6640 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V 18200 pF @ 25 V
Type de montage Chassis Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc) 624W (Tc) 1135W (Tc) 960W (Tc)
Séries POWER MOS 8™ - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc) 36A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 600 V 1000 V 1200 V
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base APT32F120 APT34F60 APT34F100 APT34M120

Fiche technique APT32F120J PDF

Téléchargez APT32F120J PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT32F120J - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblage / origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT32F120J

Microchip Technology
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