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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD18540Q5BT
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD18540Q5BT - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD18540Q5BT
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD18540Q5BT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD18540Q5B Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 21235

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD18540Q5BT
Texas Instruments - CSD18540Q5BT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD18540Q5BT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 28A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4230 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD18540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD18540Q5BT

Attributs du produit CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18537NKCS CSD18563Q5A
Modèle de produit CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18537NKCS CSD18563Q5A
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Numéro de produit de base CSD18540 CSD18541 CSD18537 CSD18563
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4230 pF @ 30 V 777 pF @ 30 V 1480 pF @ 30 V 1500 pF @ 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 28A, 10V 65mOhm @ 1A, 10V 14mOhm @ 25A, 10V 6.8mOhm @ 18A, 10V
Séries NexFET™ FemtoFET™ - NexFET™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 500mW (Ta) 94W (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6) 3-PICOSTAR TO-220-3 8-VSONP (5x6)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 3-SMD, No Lead TO-220-3 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta) 2.2A (Ta) 50A (Tc) 100A (Ta)

Fiche technique CSD18540Q5BT PDF

Téléchargez CSD18540Q5BT PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD18540Q5BT - Texas Instruments.

Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014.pdf
Fiche technique HTML
CSD18540Q5B Datasheet.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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