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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD18534Q5AT
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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CSD18534Q5AT - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD18534Q5AT
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD18534Q5AT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD18534Q5AT.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 48000

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Quantité
OPTION EXPRESS
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques CSD18534Q5AT
Texas Instruments - CSD18534Q5AT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD18534Q5AT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 77W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.1 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD18534  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD18534Q5AT

Attributs du produit CSD18534Q5AT CSD18533KCS CSD18535KCS CSD18533Q5AT
Modèle de produit CSD18534Q5AT CSD18533KCS CSD18535KCS CSD18533Q5AT
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-PowerTDFN TO-220-3 TO-220-3 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 77W (Tc) 192W (Tc) 300W (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 14A, 10V 6.3mOhm @ 75A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 5.9mOhm @ 18A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.1 nC @ 4.5 V 34 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6) TO-220-3 TO-220-3 8-VSONP (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Ta) 72A (Ta), 100A (Tc) 200A (Ta) 17A (Ta), 100A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 30 V 3025 pF @ 30 V 6620 pF @ 30 V 2750 pF @ 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base CSD18534 CSD18533 CSD18535 CSD18533

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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