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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD17313Q2
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD17313Q2 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD17313Q2
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD17313Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
Power Management Guide.pdf
État RoHS
En stock: 187220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD17313Q2
Texas Instruments - CSD17313Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD17313Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-WSON (2x2)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 8V  
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta)  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD17313  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD17313Q2

Attributs du produit CSD17313Q2 CSD17312Q5 CSD17318Q2T CSD17308Q3
Modèle de produit CSD17313Q2 CSD17312Q5 CSD17318Q2T CSD17308Q3
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 6-WSON (2x2) 8-VSON-CLIP (5x6) 6-WSON (2x2) 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 15 V 5240 pF @ 15 V 879 pF @ 15 V 700 pF @ 15 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 38A (Ta), 100A (Tc) 25A (Tc) 14A (Ta), 44A (Tc)
Vgs (Max) +10V, -8V +10V, -8V ±10V +10V, -8V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V 36 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V 5.1 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta) 3.2W (Ta) 16W (Tc) 2.7W (Ta)
Numéro de produit de base CSD17313 CSD17312 CSD17318 CSD17308
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 8V 1.5mOhm @ 35A, 8V 15.1mOhm @ 8A, 8V 10.3mOhm @ 10A, 8V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V 3V, 8V 2.5V, 8V 3V, 8V

Fiche technique CSD17313Q2 PDF

Téléchargez CSD17313Q2 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD17313Q2 - Texas Instruments.

Feuilles de données
Power Management Guide.pdf
Conception / spécification PCN
Marking Standardization 29/Jan/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
CSDYYY 01/Feb/2019.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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