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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD17311Q5
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD17311Q5 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD17311Q5
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD17311Q5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD17311Q5.pdf
État RoHS
En stock: 33627

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD17311Q5
Texas Instruments - CSD17311Q5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD17311Q5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 8V  
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4280 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Ta), 100A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD17311  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD17311Q5

Attributs du produit CSD17311Q5 CSD17310Q5A CSD17381F4 CSD17313Q2
Modèle de produit CSD17311Q5 CSD17310Q5A CSD17381F4 CSD17313Q2
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V 11.6 nC @ 4.5 V 1.35 nC @ 4.5 V 2.7 nC @ 4.5 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (5x6) 3-PICOSTAR 6-WSON (2x2)
Vgs (Max) +10V, -8V +10V, -8V 12V +10V, -8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V 3V, 8V 1.8V, 4.5V 3V, 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4280 pF @ 15 V 1560 pF @ 15 V 195 pF @ 15 V 340 pF @ 15 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta) 3.1W (Ta) 500mW (Ta) 2.3W (Ta)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 3-XFDFN 6-WDFN Exposed Pad
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Ta), 100A (Tc) 21A (Ta), 100A (Tc) 3.1A (Ta) 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 8V 5.1mOhm @ 20A, 8V 109mOhm @ 500mA, 8A 30mOhm @ 4A, 8V
Numéro de produit de base CSD17311 CSD17310 CSD17381 CSD17313
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique CSD17311Q5 PDF

Téléchargez CSD17311Q5 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD17311Q5 - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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