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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD17307Q5A
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD17307Q5A - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD17307Q5A
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD17307Q5A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD17307Q5A.pdf
État RoHS
En stock: 136930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD17307Q5A
Texas Instruments - CSD17307Q5A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD17307Q5A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 11A, 8V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta), 73A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD17307  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD17307Q5A

Attributs du produit CSD17307Q5A CSD17303Q5 CSD17312Q5 CSD17309Q3
Modèle de produit CSD17307Q5A CSD17303Q5 CSD17312Q5 CSD17309Q3
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta), 73A (Tc) 32A (Ta), 100A (Tc) 38A (Ta), 100A (Tc) 20A (Ta), 60A (Tc)
Vgs (Max) +10V, -8V +10V, -8V +10V, -8V +10V, -8V
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) 3.2W (Ta) 3.2W (Ta) 2.8W (Ta)
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 11A, 8V 2.4mOhm @ 25A, 8V 1.5mOhm @ 35A, 8V 5.4mOhm @ 18A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.7V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V 3V, 8V 3V, 8V 3V, 8V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base CSD17307 CSD17303 CSD17312 CSD17309
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 36 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 15 V 3420 pF @ 15 V 5240 pF @ 15 V 1440 pF @ 15 V

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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