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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD17310Q5A
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD17310Q5A - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD17310Q5A
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD17310Q5A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD17310Q5A.pdf
État RoHS
En stock: 95830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD17310Q5A
Texas Instruments - CSD17310Q5A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD17310Q5A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 20A, 8V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.6 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta), 100A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD17310  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD17310Q5A

Attributs du produit CSD17310Q5A CSD17318Q2 CSD17311Q5 CSD17312Q5
Modèle de produit CSD17310Q5A CSD17318Q2 CSD17311Q5 CSD17312Q5
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta), 100A (Tc) 25A (Tc) 32A (Ta), 100A (Tc) 38A (Ta), 100A (Tc)
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta) 16W (Tc) 3.2W (Ta) 3.2W (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.6 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V 36 nC @ 4.5 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 15 V 879 pF @ 15 V 4280 pF @ 15 V 5240 pF @ 15 V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 20A, 8V 15.1mOhm @ 8A, 8V 2mOhm @ 30A, 8V 1.5mOhm @ 35A, 8V
Vgs (Max) +10V, -8V ±10V +10V, -8V +10V, -8V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6) 6-WSON (2x2) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V 2.5V, 8V 3V, 8V 3V, 8V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Numéro de produit de base CSD17310 CSD17318 CSD17311 CSD17312
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.5V @ 250µA

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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