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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSU002P03T106
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RSU002P03T106 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSU002P03T106
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSU002P03T106
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
RSU002P03T106.pdf
État RoHS
En stock: 309350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RSU002P03T106
Rohm Semiconductor - RSU002P03T106 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSU002P03T106

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur UMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 250mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta)  
Numéro de produit de base RSU002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSU002P03T106

Attributs du produit RSU002P03T106 FQD12P10TF SI4134DY-T1-E3 DMN3150L-7
Modèle de produit RSU002P03T106 FQD12P10TF SI4134DY-T1-E3 DMN3150L-7
Fabricant Rohm Semiconductor onsemi Vishay Siliconix Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±12V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta) 9.4A (Tc) 14A (Tc) 3.8A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte SC-70, SOT-323 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V 800 pF @ 25 V 846 pF @ 15 V 305 pF @ 5 V
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 1.4W (Ta)
Numéro de produit de base RSU002 FQD1 SI4134 DMN3150
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 10V 10V 2.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 30 V 28 V
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 250mA, 10V 290mOhm @ 4.7A, 10V 14mOhm @ 10A, 10V 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Package composant fournisseur UMT3 TO-252AA 8-SOIC SOT-23-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - QFET® TrenchFET® -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

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Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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RSU002P03T106

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