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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS3107TRL7PP
IRFS3107TRL7PP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS3107TRL7PP - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS3107TRL7PP
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS3107TRL7PP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Fiche technique
IRFS3107TRL7PP.pdf
État RoHS
En stock: 9952

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS3107TRL7PP
Infineon Technologies - IRFS3107TRL7PP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS3107TRL7PP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 160A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 240A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFS3107  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS3107TRL7PP

Attributs du produit IRFS3107TRL7PP IRFS31N20DTRL IRFS3107PBF IRFS3107-7PPBF
Modèle de produit IRFS3107TRL7PP IRFS31N20DTRL IRFS3107PBF IRFS3107-7PPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 160A, 10V 82mOhm @ 18A, 10V 3mOhm @ 140A, 10V 2.6mOhm @ 160A, 10V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 50 V 2370 pF @ 25 V 9370 pF @ 50 V 9200 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 370W (Tc) 370W (Tc)
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 240A (Tc) 31A (Tc) 195A (Tc) 240A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead) D2PAK D2PAK D2PAK (7-Lead)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 75 V 200 V 75 V 75 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IRFS3107 - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IRFS3107TRL7PP PDF

Téléchargez IRFS3107TRL7PP PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS3107TRL7PP - Infineon Technologies.

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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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