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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI7456DP-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI7456DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI7456DP-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI7456DP-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® SO-8
Fiche technique
SI7456DP-T1-E3.pdf
État RoHS
En stock: 34806

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI7456DP-T1-E3
Vishay Siliconix - SI7456DP-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI7456DP-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 9.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.9W (Ta)  
Package / Boîte PowerPAK® SO-8  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.7A (Ta)  
Numéro de produit de base SI7456  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI7456DP-T1-E3

Attributs du produit SI7456DP-T1-E3 SI7454DDP-T1-GE3 SI7456DP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3
Modèle de produit SI7456DP-T1-E3 SI7454DDP-T1-GE3 SI7456DP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 19.5 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 29.5 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base SI7456 SI7454 SI7456 SI7456
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 2.8V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.7A (Ta) 21A (Tc) 5.7A (Ta) 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 9.3A, 10V 33mOhm @ 10A, 10V 25mOhm @ 9.3A, 10V 23mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.9W (Ta) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) 1.9W (Ta) 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8

Fiche technique SI7456DP-T1-E3 PDF

Téléchargez SI7456DP-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI7456DP-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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