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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM10NC65CF
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM10NC65CF - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM10NC65CF
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM10NC65CF
Modèle ECAD
Description des pièces
650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
TSM10NC65CF.pdf
État RoHS
En stock: 27993

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM10NC65CF
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM10NC65CF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM10NC65CF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ITO-220S  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC65CF

Attributs du produit TSM10NC65CF TSM1121IDT TSM111CD TSM108ID
Modèle de produit TSM10NC65CF TSM1121IDT TSM111CD TSM108ID
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V - - -
Emballer Tube - Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Tension drain-source (Vdss) 650 V - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 50 V - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) - - -
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack - 20-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Package composant fournisseur ITO-220S - 20-SO 14-SO
Numéro de produit de base TSM10 - TSM111 TSM108
Type de montage Through Hole - Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 125°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) - - -

Fiche technique TSM10NC65CF PDF

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Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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