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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRDD022N50TL
RDD022N50TL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RDD022N50TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RDD022N50TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RDD022N50TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
RDD022N50TL.pdf
État RoHS
En stock: 67910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RDD022N50TL
Rohm Semiconductor - RDD022N50TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RDD022N50TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.7V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur CPT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 168 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)  
Numéro de produit de base RDD022  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RDD022N50TL

Attributs du produit RDD022N50TL FDBL0150N80 TK5P53D(T6RSS-Q) IPB45N06S3-16
Modèle de produit RDD022N50TL FDBL0150N80 TK5P53D(T6RSS-Q) IPB45N06S3-16
Fabricant Rohm Semiconductor onsemi Toshiba Semiconductor and Storage Infineon Technologies
Numéro de produit de base RDD022 FDBL0150 TK5P53 IPB45N
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc) 429W (Tj) 80W (Tc) 65W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4Ohm @ 1A, 10V 1.4mOhm @ 80A, 10V 1.5Ohm @ 2.5A, 10V 15.4mOhm @ 23A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 80 V 525 V 55 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerSFN TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V 188 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc) 300A (Tc) 5A (Ta) 45A (Tc)
Package composant fournisseur CPT3 8-HPSOF D-Pak PG-TO263-3-2
Séries - PowerTrench® - OptiMOS™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 168 pF @ 25 V 12800 pF @ 25 V 540 pF @ 25 V 2980 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.7V @ 1mA 4V @ 250µA 4.4V @ 1mA 4V @ 30µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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